Общие характеристики

Тип памяти DDR3

Форм-фактор DIMM 240-контактный

Тактовая частота 1333 МГц

Пропускная способность 10600 Мб/с

Объем 1 модуль 8 Гб

Поддержка ECC есть

Буферизованная (Registered) да

Низкопрофильная (Low Profile) нет

Тайминги

CAS Latency (CL) 9

RAS to CAS Delay (tRCD) 9

Row Precharge Delay (tRP) 9

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля 36, двусторонняя упаковка

Напряжение питания 1.5 В

Количество ранков 2